据韩媒报道，三星电子上个月在10纳米级第六代DRAM（1c DRAM）晶圆的性能测试中，实现了50-70%的良品率，与去年同类产品不到30%的良品率相比，取得了实质性的进步。报道称，三星采取提前准备生产线的策略，以便在最终测试完成后立即投产，1c DRAM将作为HBM4核心芯片。
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