据韩媒援引业内人士消息，英伟达正与三星电子和台积电合作设计其专有HBM芯片NVHBM的核心组件——基底裸片。 业内人士估计，台积电3纳米工艺的良率超过90%，而三星晶圆代工的2纳米SF2工艺良率约为60%。对于英伟达而言，将基底裸片生产集中在台积电是更稳定的选择。但报道称，这也不意味着台积电已经锁定英伟达HBM的基底裸片生产。虽然三星电子应英伟达的要求使用了台积电的基底裸片，但为了应对持续增长的需求，三星电子也在准备在其自有晶圆厂生产该组件。 据业内人士表示，台积电的3纳米生产线同时用于生产高性能计算和智能手机芯片，分配的产能可能会达到上限。因此，三星晶圆代工正在其2纳米工艺上验证英伟达HBM基底裸片的生产，该工艺与台积电的3纳米工艺相当。
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