据韩媒援引业内人士消息， 三星电子正在内部研发三种类型的z-NAND闪存， 除已公开展示模型的zNAND-O外，还包括zNAND-T和zNAND-I。据悉，zNAND-T专为高吞吐量而设计，其特点是最大限度地提高带宽，以满足高容量、高性能AI数据中心的需求；zNAND-I则最大程度地提高了IOPS，虽然更宽的带宽允许一次性处理大量数据，但更高的IOPS意味着每秒完成更多的数据I/O操作。
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